[发明专利]具有电容耦合到浮栅的栅极的存储器单元的编程有效
| 申请号： | 201980054776.2 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112639977B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | V·马克夫;A·柯多夫 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器设备，该存储器设备具有存储器单元，每个存储器单元包括：源极区和漏极区，该源极区和漏极区之间具有沟道区；浮栅，该浮栅处于第一沟道区部分上方；选择栅，该选择栅处于第二沟道区部分上方；控制栅，该控制栅处于浮栅上方；和擦除栅，该擦除栅处于源极区上方。控制电路被配置为针对存储器单元中的一个存储器单元：施加第一编程电压脉冲，该第一编程电压脉冲包括施加到控制栅的第一电压；执行读取操作，该读取操作包括针对不同的控制栅电压检测通过沟道区的电流，以使用对应于通过沟道区的目标电流的所检测到的电流来确定目标控制栅电压；以及施加第二编程电压脉冲，该第二编程电压脉冲包括施加到控制栅的第二电压，该第二电压由第一电压、标称电压和目标电压确定。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容 耦合 到浮栅 栅极 存储器 单元 编程 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术股份有限公司，未经硅存储技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980054776.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
