[发明专利]含氧族元素的有机化合物、有机半导体材料、有机半导体膜和有机电力场效应晶体管在审
| 申请号： | 201980055254.4 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112638895A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 冈本敏宏;竹谷纯一;三谷真人;伊藤阳介;松室智纪 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;Pi-克瑞斯托株式会社 |
| 主分类号： | C07D333/50 | 分类号： | C07D333/50;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有优异的载流子迁移率的新型的含氧族元素的有机半导体化合物。其为由下式(1a)或式(1b)表示的化合物，[化学式1] |
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| 搜索关键词： | 含氧族 元素 有机化合物 有机 半导体材料 有机半导体 电力 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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