[发明专利]用于产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法在审
| 申请号： | 201980055549.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112640028A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | M.思韦茨;P.霍克利 | 申请（专利权）人： | 戴森技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/34;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张邦帅 |
| 地址： | 英国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种产生和处理均匀的高密度等离子体片(24)的方法。该方法包括使用等离子体源(3)在腔室(2)内产生等离子体，并在同一腔室内使用磁场和/或静电场容纳和成形等离子体。等离子体在腔室内以均匀的高密度片传播。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 处理 均匀 高密度 等离子体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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