[发明专利]清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法在审
申请号: | 201980055634.8 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN112602175A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 柴田俊明;河瀬康弘;原田宪;伊藤笃史;草野智博;竹下祐太朗 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C11D7/22;C11D7/26;C11D7/32;C11D17/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及清洗液,其包含成分(A):下述通式(1)所表示的化合物、成分(B):烷基胺、成分(C):多元羧酸、成分(D):抗坏血酸,其中,成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1~15。(所述通式(1)中,R |
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搜索关键词: | 清洗 方法 半导体 晶片 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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