[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 201980055805.7 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN112602179A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 根来世;小林健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
