[发明专利]电极的制造方法和光电转换元件的制造方法在审
| 申请号： | 201980056531.3 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112789744A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 内藤胜之;信田直美;齐田穰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;B32B9/00;B32B15/02;H01B13/00;H01L21/288;H01L31/0224;H01L51/50;H05B33/28 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [课题]本发明提供能够以使元件劣化少的、简便的方法制造电阻低且后加工容易的电极的方法、以及利用该方法的光电转换元件的制造方法。[解决手段]电极的制造方法包括如下工序：在疏水性基材的表面上直接涂布金属纳米材料分散液，以形成金属纳米材料层的工序；通过在上述金属纳米粒子层的表面上涂布碳材料分散液以形成碳材料层，从而形成包括金属纳米材料层与碳材料层的叠层体的电极层的工序；将上述碳材料层的表面与亲水性基材直接压接的工序；以及，剥离上述疏水性基材，将上述电极层转印至上述亲水性基材的表面的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制造 方法 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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