[发明专利]溅射装置及成膜方法在审
| 申请号： | 201980056818.6 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112639160A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 藤井佳词;中村真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;秦岩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基板上形成薄膜时，可在其整个面上得到更为均匀的薄膜厚度分布的溅射装置。溅射装置(SM)具有：真空室(1)，其中相对配置有基板(W)和靶(3)；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元(4)，其配置在靶的上方；磁铁单元具有基板侧的极性不同的多个磁铁，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线以两端相连状闭合，并且磁铁单元在从靶中心朝向其周边缘部的虚拟线上被分割成多个部分(40a、40b)，所述多个部分分别具有多个磁铁(42a、42b)，所述磁铁单元还具有：驱动装置(5、6)，其绕靶中心分别旋转驱动各部分；以及角速度控制装置(72)，其在维持漏磁场的两端相连状的范围内控制各部分的角速度。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
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