[发明专利]硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法和硅单晶锭的制造方法有效
| 申请号： | 201980057224.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112640071B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 大户贵史;江里口和隆;三次伯知;佐俣秀一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：向评价对象硅试样导入氢原子；通过评价硅的带隙中的陷阱能级的评价法，对导入了上述氢原子的评价对象硅试样进行评价；以及基于在由上述评价得到的评价结果中与选自由Ec‑0.10eV、Ec‑0.13eV和Ec‑0.15eV构成的组中的至少一个陷阱能级的密度相关的评价结果，评价上述评价对象硅试样的碳浓度；通过使评价对象硅试样与溶液接触，进行上述氢原子的导入，并且上述溶液是摩尔比(HNO |
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| 搜索关键词： | 试样 浓度 评价 方法 晶片 制造 工序 硅单晶锭 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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