[发明专利]用于蚀刻用于半导体应用的结构的方法在审
| 申请号： | 201980057814.X | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112640065A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 姜浩;任河;陈浩;梅裕尔·B·奈克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/768;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式提供用于形成和图案化设置在基板上的膜堆叠中的特征的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于图案化基板上的导电层的方法包括以下步骤：以第一流量供应包括含氯气体的气体混合物，以蚀刻设置在所述基板上的第一导电层；将第一气体混合物中的所述含氯气体降低到低于所述第一流量的第二流量，以继续蚀刻所述第一导电层；和将所述第一气体混合物中的所述含氯气体增加到大于所述第二流量的第三流量，以从所述基板移除所述第一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 半导体 应用 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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