[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980058845.7 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112673466A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 赤井智喜;利田祐麻;妹尾贤;大河原淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将IGBT用第1沟槽(13a)中的最靠FWD用沟槽(13b)侧的沟槽(133a)的中心与FWD用第1沟槽(13b)中的最靠IGBT用沟槽侧(13a)的沟槽(133b)的中心之间的距离设为分离单元间距(W1)。将IGBT用第1沟槽彼此(131a)的中心间的最小距离设为IGBT用第1沟槽间距(D1a)，将相邻的IGBT用第2沟槽(132b)彼此的中心间的最小距离设为IGBT用第2沟槽间距(D2a)，将相邻的FWD用第1沟槽(131b)彼此的中心间的最小距离设为FWD用第1沟槽间距(D1b)，将相邻的FWD用第2沟槽132b彼此的中心间的最小距离设为FWD用第2沟槽间距(D2b)。并且，分离单元间距(W1)比各沟槽间距(D1a、D2a、D1b、D2b)窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
