[发明专利]用于晶圆到晶圆键合的台面形成在审
| 申请号： | 201980059390.0 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112740412A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 威廉·帕德里克·亨利;詹姆斯·罗纳德·博纳;加雷思·瓦伦丁 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于制造发光二极管(LED)的晶圆到晶圆键合技术。在一些实施例中，制造LED的方法包括蚀刻半导体材料以形成多个相邻的台面形。半导体材料包括一个或更多个外延层。该方法还包括在相邻的台面形之间的间隙内形成钝化层，并将基底晶圆键合到半导体材料的第一表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆到晶圆键合 台面 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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