[发明专利]沉积介电材料的方法在审
| 申请号： | 201980059660.8 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112673457A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 巴加夫·S·西特拉;杰思罗·塔诺斯;李景义;小道格拉斯·A·布池贝尔格尔;华忠强;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/455;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 材料 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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