[发明专利]真空处理装置和基板输送方法在审
申请号: | 201980059827.0 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN112689891A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 若林真士 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B65G49/07;C23C14/56;C23C16/44;C23C16/54;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 针对在真空气氛下对基板进行处理的真空处理装置,防止装置的占用空间的增加。在利用处理模块使基板以俯视时左右并列的方式配置而进行成批处理从而谋求高生产率化时,对于加载互锁模块,也与处理模块同样地,构成为使基板以俯视时左右并列的方式配置。并且,将常压输送室设置为从该加载互锁模块的左右的一侧起在加载互锁模块的下方侧延伸而跨到左右的另一侧,使常压输送室的基板的输送区域与加载互锁模块上下重叠。进而能够利用常压输送机构在加载互锁模块的左右进行晶圆(W)相对于送入送出端口的承载件的交接。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 输送 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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