[发明专利]用于清洁和表面处理的原子氧和臭氧装置在审
| 申请号： | 201980060032.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112703588A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吴半秋;伊莱·达甘 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的实施方式涉及氧清洁腔室和原子氧清洁基板的方法。氧清洁腔室和原子氧清洁基板的方法提供原位产生原子氧以氧化基板表面上的材料。原子氧清洁腔室包括腔室主体、腔室盖、由腔室主体和腔室盖界定的处理容积、包括一个或多个UV辐射源的UV辐射产生器、设置在处理容积中的基座，以及气体分配组件。基座具有对应于从UV辐射产生器到基座的上表面的距离的处理位置。气体分配组件经构造以连接至臭氧产生器，以在基座的上表面上方分配臭氧。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洁 表面 处理 原子 臭氧 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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