[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体基板有效
| 申请号： | 201980060356.5 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112740359B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社菲尔尼克斯 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本东京八王子市别*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成于基底基板上的半导体薄膜不易意外地剥离的半导体元件的制造方法及半导体基板。半导体元件的制造方法包括：结合层形成工序，在第一基板的一部分的结合层区域，形成以较共价键更弱的力结合半导体薄膜的结合层；薄膜形成工序，在结合层区域及结合层区域以外的非结合层区域形成半导体薄膜；分离工序，通过将与第一基板不同的拾取基板所具有的有机物层结合于半导体薄膜，从而从第一基分离半导体薄膜；附着物除去工序，将从第一基板分离后的半导体薄膜的剥离面所附着的结合层除去；以及接合工序，将除去结合层后的半导体薄膜接合于与第一基板不同的第二基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
