[发明专利]层叠体、半导体装置及层叠体的制造方法在审
| 申请号： | 201980060388.5 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112771651A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 桥上洋 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L21/338;H01L21/368;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;H01L29/872;H01L33/12;H01L33/26;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种层叠体，其具有：晶体衬底；形成在该晶体衬底的主表面上且混合存在有以第一金属氧化物作为主成分的由刚玉型结构构成的结晶相的结晶区与非晶相的非晶区的中间层；及形成在该中间层上的以第二金属氧化物作为主成分的刚玉型结构的晶体层。由此能够提供一种具有充分抑制了晶体缺陷的高品质刚玉型结构的晶体的层叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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