[发明专利]低寄生电容射频晶体管在审
| 申请号： | 201980061754.9 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112823418A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 阿比吉特·保罗;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱;罗纳德·尤金·里迪 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/367;H01L27/12;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;王鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于具有低寄生电容的晶体管的结构和制造方法，所述晶体管包括绝缘低介电常数第一处理晶片或第二处理晶片。在一个实施方式中，替代常规设计的硅衬底，使用单层转移技术来靠近SOI晶体管的金属互连层/金属层堆叠定位绝缘LDC处理晶片。在另一实施方式中，使用双层转移技术来利用绝缘LDC衬底替代现有技术结构的硅衬底。在一些实施方式中，绝缘LDC处理晶片包括至少一个空气腔，所述至少一个空气腔降低了围绕RF FET的材料的有效介电常数。绝缘LDC处理晶片减少了插入损耗和非线性度，增加了隔离度，提供了堆叠晶体管的更理想的分电压，由于较低的耦合损耗而实现了更高的Q因子，并且另外减轻了各种寄生效应。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 电容 射频 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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