[发明专利]在不同类型的扩散区域中采用双扩散断裂(DDB)和单扩散断裂(SDB)的电路、以及相关的制造方法在审
| 申请号： | 201980061781.6 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112956013A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;邓杰 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/02;H01L29/78;H01L27/118 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中公开的各方面包括在不同类型的扩散区域中采用双扩散断裂(DDB)和单扩散断裂(SDB)的电路，并且公开了相关的制造方法。在本文中公开的示例性方面中，在N型扩散区域中形成DDB或SDB，并且在P型扩散区域中形成相反类型扩散(SDB或DDB)。可以采用在电路的不同扩散区域中的DDB与SDB之间形成不同扩散断裂，来诱发将增加形成在相应P型或N型扩散区域中的P型或N型半导体器件的载流子迁移率的沟道应变，同时避免或减少这种诱发的形成在相应P型或N型扩散区域中的P型或N型半导体器件中的、可以降低载流子迁移率的沟道应变。 | ||
| 搜索关键词： | 不同类型 扩散 区域 采用 断裂 ddb sdb 电路 以及 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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