[发明专利]蚀刻金属氧化物和保护腔室部件在审
| 申请号： | 201980061918.8 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112740378A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 阿希尔·N·辛格尔;达斯汀·扎卡里·奥斯丁;阿隆·加纳尼;丹尼尔·博特赖特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/67;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
各种实施方案包括蚀刻金属氧化物膜的方法和化学物质。在一个实施方案中，一种蚀刻氧化锡(SnO |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 金属 氧化物 保护 部件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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