[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980063390.8 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112753101A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 海津瞭一;野村匠;山岸哲人;稻叶祐树;坂本善次 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/40;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备：半导体芯片(12)，在SiC基板中形成有元件，在一面及背面分别形成有主电极；配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24)；接线部(20)，介于第2散热片与半导体芯片之间，将背面侧的主电极和第2散热片电中继；以及接合部件(18、22、26)，分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d)，至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内；在接线部中，多种金属层在板厚方向上对称配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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