[发明专利]光电转换元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980064003.2 申请日: 2019-09-26
公开(公告)号: CN112771685A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: G·费拉拉;西美树 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L27/146;H01L27/30;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于洁;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明降低暗电流比。光电转换元件(10)包含:阳极(16);阴极(12);设置于该阳极和阴极间的有源层(14);以及设置于有源层和阴极间的至少一层电子传输层(13),电子传输层包含绝缘性材料和半导体材料,电子传输层的功函数与阴极的功函数之差为0.88eV以上。此外,该光电转换元件中,上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料,上述电子传输层的功函数Wf1和上述n型半导体材料的LUMO的能级(LUMO)满足下述式(2):|LUMO|-Wf1≥0.06eV(2)。
搜索关键词: 光电 转换 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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