[发明专利]制造降低缺陷密度的超晶格结构的方法和器件在审
| 申请号： | 201980064303.0 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112789730A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | K·D·威克斯;N·W·科迪;M·海塔;R·J·米尔斯;R·J·史蒂芬森 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，可以包括在包括多个堆叠的层组的基板上形成超晶格，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基体半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。此外，形成基础半导体部分中的至少一个基础半导体部分可以包括过度生长至少一个基础半导体部分以及回蚀过度生长的至少一个基础半导体部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 降低 缺陷 密度 晶格 结构 方法 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿托梅拉公司，未经阿托梅拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980064303.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于通过纳滤去除催化剂细粒的方法
- 下一篇：机动车车上的蓝牙通信
- 同类专利
- 专利分类
