[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980066078.4 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112805829A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 山口敦司;坂入宽之;大塚拓一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/00;H01L25/18;H02M1/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置(A1)具备：第一端子(201A)和第二端子(201B)；具有第一栅极电极(12A)、第一源极电极(13A)和第一漏极电极(14A)的第一开关元件(1A)；具有第二栅极电极(12B)、第二源极电极(13B)和第二漏极电极(14B)的第二开关元件(1B)。在第一端子(201A)和第二端子(201B)之间串联连接有第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)。半导体装置(A1)具备在第一端子(201A)和第二端子(201B)之间与第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)并联连接的第一电容器(3A)。第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)在x方向上排列。第一电容器(3A)在z方向视角下与第一开关元件(1A)和第二开关元件(1B)的至少其一重叠。采用这种结构能够抑制浪涌电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980066078.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于机械表面处理的工具和方法
- 下一篇：信息管理系统
- 同类专利
- 专利分类
