[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980066151.8 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN112823415A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;神保安弘;石川纯;手塚祐朗;掛端哲弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;阎文君 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体及第二绝缘体上的第三绝缘体、在第一氧化物上配置在第一导电体与第二导电体之间的第二氧化物、第二氧化物上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三导电体、接触于第三绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第四绝缘体的顶面及第三导电体的顶面的第五绝缘体、嵌入到形成在第一绝缘体、第三绝缘体及第五绝缘体中的开口中且与第一导电体接触的第四导电体、以及嵌入到形成在第二绝缘体、第三绝缘体及第五绝缘体的开口中且与第二导电体接触的第五导电体，其中，第三绝缘体在与第四导电体的界面附近及与第五导电体的界面附近具有其氮浓度高于第三绝缘体的其他区域的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980066151.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
