[发明专利]用于确定半导体样本的热施主浓度的方法在审
| 申请号： | 201980066403.7 | 申请日： | 2019-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN112805556A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 托比约恩·梅尔;埃斯本·奥尔森;英格恩·布鲁德;丽莎·克瓦尔宾;埃莉诺·莱蒂;维尔弗里德·法夫尔;乔迪·维曼 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会;挪威生命科学大学 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/64 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 桑丽茹 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于确定由半导体材料制成的测试样本的热施主浓度([TD] |
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| 搜索关键词： | 用于 确定 半导体 样本 施主 浓度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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