[发明专利]钴配合物、其制造方法、以及含钴薄膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980067199.0 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN112839924B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 尾池浩幸;早川哲平;山本有纪;古川泰志;多田贤一 申请(专利权)人: 东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所
主分类号: C07C251/12 分类号: C07C251/12;C07F15/06;C07F19/00;C07C49/12;C07F7/10;C23C16/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中,L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中,R1及R2表示碳原子数1~6的烷基或三(碳原子数1~6的烷基)甲硅烷基,波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中,R3表示三(碳原子数1~6的烷基)甲硅烷基,R4、R5表示碳原子数1~4的烷基,X表示碳原子数1~6的亚烷基。式(C)中,R6及R8表示碳原子数1~6的烷基,R7表示氢原子或碳原子数1~4的烷基,Y表示氧原子或NR9,Z表示氧原子或NR10,R9及R10分别独立地表示碳原子数1~6的烷基。
搜索关键词: 配合 制造 方法 以及 薄膜
【主权项】:
暂无信息
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