[发明专利]光伏太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201980067344.5 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN112997320A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | A.R.拉古纳阿隆索;J.本戈切亚艾珀兹特圭厄;E.苏加斯蒂德罗森德;M.J.罗德里格斯亨克 | 申请(专利权)人: | 西班牙环境能源技术研究中心 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 西班牙*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种光伏太阳能电池及其制造方法,包括:设置在硅基板(1)上的前电极(2),该前电极(2)至少具有由单一材料构成的若干指状物(4)和若干母线(5),该单一材料完全由金属硅化物组成,该金属硅化物是通过在硅基板(1)上沉积金属并施加热处理以引起金属和硅之间的反应获得的,因此光伏太阳能电池的电压损耗与具有银电极或额外的导电材料涂层的常规电池的电压损耗接近。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的