[发明专利]用于形成微波可调谐复合薄膜介电层的方法在审
| 申请号： | 201980067902.8 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112840436A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 欧岳生;Y·崔;A·桑达拉江;N·Y-C·陈;G·H·施;F·邓 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/324;H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中提供一种使用可变微波频率来固化基板上的聚合物层的方法。在一些实施例中，使用可变微波频率来固化基板上的聚合物层的方法包括(a)在基板上形成第一薄膜聚合物层，所述第一薄膜聚合物层包括至少一种第一基底介电材料和至少一种微波可调谐材料；(b)将变频微波能量施加至基板和第一薄膜聚合物层，以将所述基板和所述第一薄膜聚合物层加热至第一温度；以及(c)调整施加至所述基板和所述第一薄膜聚合物层的变频微波能量，以调谐第一薄膜聚合物层的至少一种材料性质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 微波 调谐 复合 薄膜 介电层 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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