[发明专利]单极性电平转移电路及半导体装置在审
| 申请号： | 201980068258.6 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112889138A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高桥圭;冈本佑树;石津贵彦;伊藤港 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H03K19/0185;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够使用n沟道型晶体管向负电位方向进行电平转换的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器及比较器。第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，第二源极跟随器被供应第一高电源电位及低电源电位，第一源极跟随器被输入使用第二高电源电位及第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号。在此，第二高电源电位比第一高电源电位高，第一高电源电位比低电源电位高。比较器对第一源极跟随器与第二源极跟随器的输出电位进行比较并输出使用第一高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平的数字信号。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 电平 转移 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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