[发明专利]金属氧化物的制造方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980068259.0 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112913033A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括在衬底上形成包含铟的金属氧化物的第一工序和从金属氧化物上进行微波处理的第二工序，第一工序使用包含铟的氧化物靶材通过溅射法而进行，第二工序在减压下且使用包含氧的气体进行。通过第二工序，将氢进入金属氧化物中的氧空位的缺陷(V |
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| 搜索关键词： | 金属 氧化物 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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