[发明专利]具有改善温度均匀性的空间晶片处理在审
| 申请号： | 201980069660.6 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112930582A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·奥布赫恩;桑吉夫·巴鲁贾;德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普;杰瑞德·艾哈迈德·里;特哈斯·乌拉维;迈克尔·赖斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;C23C16/455;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了处理一个或多个晶片的设备和方法。处理腔室包括：第一处理站，包括具有第一面、第一发射率和第一温度的第一气体注射器；第二处理站，包括具有第二面、第二发射率和第二温度的第二气体注射器；和基板支撑组件，包括多个实质上共面的支撑表面，基板支撑组件经配置成使支撑表面在第一处理站和第二处理站之间移动。在晶片位于支撑表面上时，在约0.5秒内于站之间移动晶片时产生的温度偏斜小于约0.5℃。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 温度 均匀 空间 晶片 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
