[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 201980069777.4 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112912793A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 石崎守 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/167;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在形成于绝缘基板上的薄膜晶体管阵列中，具有具备薄膜晶体管、像素电极、电容器电极在内的多个像素，所述多个像素在多根列布线与多根行布线交叉的位置呈矩阵状配置，多根列布线以沿列方向延伸的方式配置，多根行布线以沿与列布线正交的行方向延伸的方式配置，像素电极由下层的电极即下像素电极与上层的电极即上像素电极这双层导电层构成，在下像素电极与上像素电极之间夹着中间绝缘膜，上像素电极经由中间绝缘膜的开口部与下像素电极连接，通过电容器电极与下像素电极的重叠而构成静电电容，列布线配置于在层叠方向上不与电容器电极以及下像素电极重叠但与上像素电极重叠的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凸版印刷株式会社，未经凸版印刷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980069777.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电力电缆用末端连接部以及电力电缆末端连接方法
- 下一篇：检查设备
