[发明专利]检查设备在审
申请号: | 201980069782.5 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN112912796A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | P·萨菲诺斯基;德克·S·G·布龙 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于检查用于EUV光刻设备中的诸如表膜之类的物体的检查设备,所述检查设备包括:‑真空腔室;‑装载锁,所述装载锁形成介于所述真空腔室与周围环境之间的接口;‑平台设备,所述平台设备被配置成从所述装载锁接收所述物体且使所述物体在所述真空腔室内移位;其中所述真空腔室包括用于临时储存所述物体的第一停放位置和第二停放位置。 | ||
搜索关键词: | 检查 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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