[发明专利]包含具有增加阈值电压的晶体管的半导体装置及其相关方法与系统在审
| 申请号： | 201980071209.8 | 申请日： | 2019-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN112956030A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | K·M·考尔道;K·D·普拉尔;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种包含阈值电压控制栅极的晶体管。所述晶体管还包含：有源控制栅极，其邻近沟道区域的相对第一侧；所述阈值电压控制栅极，其邻近所述沟道区域的相对第二侧；及电介质区域，其介于所述阈值电压控制栅极与所述沟道区域之间且介于所述有源控制栅极与所述沟道区域之间。还揭示一种包含包括所述晶体管的存储器单元的半导体装置，同样地揭示包含所述存储器单元的系统、形成所述半导体装置的方法及操作半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 增加 阈值 电压 晶体管 半导体 装置 及其 相关 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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