[发明专利]半导体基板的制造方法、镶嵌配线结构的制造方法、半导体基板和镶嵌配线结构在审
| 申请号： | 201980071653.X | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112930586A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 井上直;伊藤穣;田中豪;饭间敦矢;铃木大几;柴山胜己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序，在槽部的底面存在的状态下，通过实施各向异性湿法蚀刻处理去除在槽部的侧面上形成的波纹，并使侧面平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 镶嵌 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
