[发明专利]包含与具有缩水甘油基的亚芳基化合物的聚合生成物的化学液耐性保护膜形成用组合物在审
申请号: | 201980071835.7 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN112969739A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 远藤贵文;西田登喜雄;水落龙太 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | C08G59/22 | 分类号: | C08G59/22;C08G65/28;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 孙丽梅;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
提供在半导体基板加工时具有耐湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度,进一步相对于高低差基板也被覆性良好,埋入后的膜厚差小,能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物以及使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含:通过二环氧化合物(A)与2官能以上的产质子化合物(B)的反应而获得的开环聚合物(C)、和溶剂。优选上述开环聚合物(C)由下述式(A‑1)的单元结构表示。(在式(A‑1)中,Q表示通过二环氧化合物(A)的开环聚合而产生的2价有机基,T表示来源于2官能以上的产质子化合物(B)的2价有机基。) |
||
搜索关键词: | 包含 具有 缩水 甘油 芳基化 聚合 生成物 化学 耐性 保护膜 形成 组合 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学株式会社,未经日产化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980071835.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子装置及其控制方法
- 下一篇:存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法
- 同类专利
- 专利分类
C08 有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G59-00 每个分子含有1个以上环氧基的缩聚物;环氧缩聚物与单官能团低分子量化合物反应得到的高分子;每个分子含有1个以上环氧基的化合物使用与该环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-02 .每分子含有1个以上环氧基的缩聚物
C08G59-14 .用化学后处理改性的缩聚物
C08G59-18 .每个分子含有1个以上环氧基的化合物,使用与环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-20 ..以使用的环氧化合物为特征
C08G59-40 ..以使用的固化剂为特征
C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G59-00 每个分子含有1个以上环氧基的缩聚物;环氧缩聚物与单官能团低分子量化合物反应得到的高分子;每个分子含有1个以上环氧基的化合物使用与该环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-02 .每分子含有1个以上环氧基的缩聚物
C08G59-14 .用化学后处理改性的缩聚物
C08G59-18 .每个分子含有1个以上环氧基的化合物,使用与环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-20 ..以使用的环氧化合物为特征
C08G59-40 ..以使用的固化剂为特征