[发明专利]耿氏二极管和用于生成太赫兹辐射的方法在审
| 申请号： | 201980072140.0 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112997333A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | O·伊尔马佐格卢;A·S·豪约 | 申请（专利权）人： | 达姆施塔特工业大学 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄晓升 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种耿氏二极管，所述耿氏二极管包括第一接触层(110)和第二接触层(120)、有源层(130)、衬底(140)和用于激光器(50)的光学输入端(150)；所述有源层(130)基于氮化镓(GaN)基半导体材料，所述有源层(130)形成于第一接触层(110)和第二接触层(120)之间；所述有源层(130)连同所述第一接触层(110)和所述第二接触层(120)形成在所述衬底(140)；所述光学输入端(150)用以通过激光照射促进或触发所述有源层(130)的能量带的极值(210、220)之间的电荷载流子转移。 | ||
| 搜索关键词： | 耿氏二极管 用于 生成 赫兹 辐射 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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