[发明专利]发光二极管结构及发光二极管制造方法在审
| 申请号： | 201980072494.5 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113169249A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赵显敏;闵正泓;金大贤;金东旭;郑载勳 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/22;H01L33/56;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张晓;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种发光二极管结构和发光二极管制造方法。所述发光二极管制造方法包括以下步骤：准备下基底，下基底包括基底和形成在基底上的分离层，并且准备形成在分离层上的至少一个半导体棒；形成棒结构，棒结构包括在分离层上形成为封装半导体棒的棒保护层和形成在棒保护层的至少一部分上的辅助层；以及去除分离层以使棒结构与下基底分离，随后将半导体棒与棒结构分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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