[发明专利]具有多层膜片的半导体换能器装置以及制造具有多层膜片的半导体换能器装置的方法有效
| 申请号： | 201980072605.2 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112997056B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·费斯;耶格·西格特;威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林;瑞曼科·亨里克斯·威廉姆斯·皮内伯格 | 申请（专利权）人： | 希奥检测有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 罗小晨;谢攀 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体换能器装置包括悬置在半导体本体(1)上方的膜片(10)。所述膜片(10)的第一层(9)包括耐蚀刻剂的材料，所述蚀刻剂包括氟或氟化合物，并且所述第一层覆盖包括钛和/或TiN的第二层(8)。因此所述第一层(9)充当保护层并且防止在使用HF蒸汽来蚀刻牺牲层(5)以释放所述膜片(10)期间的例如氟化钛的残留物的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 膜片 半导体 换能器 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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