[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质在审
| 申请号： | 201980072859.4 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112997276A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 天井胜;田中志信;须中郁雄;香川兴司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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