[发明专利]用于高深宽比图案化和竖直缩放的膜堆叠简化在审
申请号: | 201980073253.2 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN112956026A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 吴惠荣;巴特·J·范施拉芬迪克;马克·直司·川口;格伦·古纳万;杰伊·E·厄格洛;纳格拉杰·尚卡尔;高里·钱纳·卡玛蒂;凯文·M·麦克劳克林;阿南达·K·巴纳基;杨家岭;约翰·霍昂;亚伦·林恩·罗赞;南森·马塞尔怀特;沈美华;索斯藤·贝恩德·莱尔;迟昊;尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11524;H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料,同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层,以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。 | ||
搜索关键词: | 用于 高深 图案 竖直 缩放 堆叠 简化 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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