[发明专利]交换耦合膜、和利用其的磁阻效应元件以及磁检测装置在审

专利信息
申请号: 201980073704.2 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN113016086A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 斋藤正路;小池文人 申请(专利权)人: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;G01R33/09;H01F10/12;H01L43/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘文海
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 固定磁性层的磁化的朝向反转的磁场(Hex)变大且强磁场耐性优异的交换耦合膜的特征在于,层叠有反铁磁性层(2)和具备铁磁性层的固定磁性层(3),反铁磁性层(2)具有IrMn层(2a)、第1PtMn层(2b)、PtCr层(2c)以及第2PtMn层(2d)按该顺序层叠的构造,IrMn层(2a)与固定磁性层(3)相接,在该交换耦合膜(10)中,存在优选第2PtMn层(2d)的厚度(d4)大于且小于的情况,存在优选PtCr层(2c)的厚度(d3)为以上的情况,存在优选反铁磁性层(2)的整体的厚度(d1+d2+d3+d4)为以下的情况。
搜索关键词: 交换 耦合 利用 磁阻 效应 元件 以及 检测 装置
【主权项】:
暂无信息
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