[发明专利]基板制造的方法和设备在审
| 申请号： | 201980074920.9 | 申请日： | 2019-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN113016059A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 普里亚达希·潘达;李吉尔;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;姜声官;桑杰·纳塔拉扬 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;C23C16/44;H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供基板制造的方法和设备。例如，所述设备可包括群集工具，其包括真空传送模块(VTM)，其配置为在真空条件下接收具有多晶硅插塞(多晶插塞)的硅基板，且在不中断真空的情况下将基板传送至多个处理腔室和从多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独立地连接至VTM，以在基板上执行多个DRAM位线工艺中的对应一个，多个处理腔室包括：预清洁腔室，其配置为从基板的表面移除原生氧化物；阻挡金属沉积腔室，其配置为在硅基板上的多晶插塞的表面上沉积阻挡金属；阻挡层沉积腔室，其配置为在阻挡金属的表面上沉积至少一种材料；位线金属沉积腔室，其配置为在阻挡层的表面上沉积至少一种材料；和硬掩模沉积腔室，其配置为在位线金属的表面上沉积至少一种材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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