[发明专利]用于形成用于MRAM应用的结构的方法在审
| 申请号： | 201980076331.4 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN113169269A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 曾信伟;朴赞道;安在洙;薛林;马亨德拉·帕卡拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式提供了用于针对混合式(或称集成式)自旋轨道矩磁性自旋转移矩磁性随机存取存储器(SOT‑STT MRAM)应用在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及装置。在一个实施方式中，该方法包括：一个或多个磁性隧道结结构，设置在基板上，该磁性隧道结结构包括第一铁磁性层及第二铁磁性层，该第一铁磁性层及该第二铁磁性层将隧穿阻挡层夹在中间；自旋轨道矩(SOT)层，设置在该磁性隧道结结构上；及后端结构，设置在该自旋轨道矩(SOT)层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 mram 应用 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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