[发明专利]半导体基板及其制造方法以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201980076538.1 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN113169049B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 荻原光彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社菲尔尼克斯 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本东京八王子市别所1丁目42番*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体基板及其制造方法以及使用所述半导体基板的半导体元件的制造方法。为了即便在将去除层去除后，也不使基底基板的表面与已分离的半导体外延层的底面接合，半导体基板(1)具有基底基板(101)、设置于基底基板(101)上的第一去除层(104)、设置于第一去除层(104)的上方的第二去除层(105)、以及设置于第二去除层(105)的上方的半导体外延层(103)，且第二去除层(105)相对于规定的蚀刻材料的蚀刻速度大于第一去除层(104)相对于规定的蚀刻材料的蚀刻速度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
