[发明专利]用于制作电荷平衡（CB）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的技术在审
| 申请号： | 201980077884.1 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113454791A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·戴利·阿瑟;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫;列扎·甘迪;戴维·阿兰·利林菲尔德;彼得·阿尔默恩·洛斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/762;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电荷平衡(CB)沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件可以包括电荷平衡(CB)层，所述CB层限定在具有第一导电类型的第一外延(epi)层内。所述CB层可以包括具有第二导电类型的电荷平衡(CB)区。所述CB沟槽MOSFET器件可以包括器件层，所述器件层限定在第二epi层中并且具有所述第一导电类型，其中，所述器件层布置在所述CB层上。所述器件层可以包括源极区、基极区、沟槽特征和具有所述第二导电类型的屏蔽区，所述屏蔽区布置在所述沟槽特征的底表面处。所述器件层还可以包括具有所述第二导电类型的电荷平衡(CB)总线区，所述CB总线区在所述CB层的CB区与具有所述第二导电类型的所述器件层的至少一个区之间延伸并且将所述CB层的CB区电耦接到具有所述第二导电类型的所述器件层的至少一个区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 电荷 平衡 cb 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 mosfet 器件 技术 | ||
【主权项】：
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