[发明专利]3D NAND的预测升压在审
| 申请号： | 201980077963.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113196399A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨翔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/16;G11C16/24;G11C16/30;G11C16/34;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失性高性能存储器设备兼顾速度和可靠性，这可包括通道升压以降低存储器单元中的数据错误率。竖直NAND串表现出越大的编程干扰(错误)，字线在该串上越高。本公开在编程达到已经确定因编程干扰而引起的错误可能成问题的水平(字线数)时施加升压的位线电压或应用增加的预充电时间。位线的升压可在存储的字线值之后或基于在先前字线处的计算的错误数发生。在一个示例中，该位线保持与现有字线编程操作相同，直到确定可能的编程干扰为止。 | ||
| 搜索关键词： | nand 预测 升压 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980077963.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
