[发明专利]磁传感器单元在审

专利信息
申请号: 201980078195.2 申请日: 2019-07-05
公开(公告)号: CN113167601A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 尾中和弘;山田清高;一宫礼孝;吉内茂裕 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: G01D5/245 分类号: G01D5/245;G01B7/30;G01D5/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩丁
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 磁传感器单元具备:磁体;磁传感器,被配置为与磁体的下表面对置;磁屏蔽件,被配置为在与磁传感器的上下方向交叉的侧方向,包围磁传感器;和磁轭,覆盖磁体的上表面和侧面。磁体具有:在上下方向被磁化的第1磁化区域、在与第1磁化区域相反的方向被磁化的第2磁化区域。第1和第2磁化区域在磁体的下表面分别形成第1磁极和第2磁极。从第1磁极的中心到第2磁极的中心的距离LA、从第1磁极的中心到磁屏蔽件的距离LB、从第2磁极的中心到磁屏蔽件的距离LC满足LA<LB+LC的关系。该磁传感器单元具有磁屏蔽性并且小型。
搜索关键词: 传感器 单元
【主权项】:
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