[发明专利]包含嵌段共聚物的用于形成非晶硅的组合物以及使用该组合物的非晶硅膜的制造方法有效
| 申请号： | 201980078909.X | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113166421B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 中本奈绪子;藤原嵩士;佐藤敦彦 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/42 | 分类号： | C08G77/42;C08G77/452;C08G77/60;C08G77/62;C09D183/16;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种与基板的亲和性高、埋入性优异且能够使膜厚度增加的用于形成非晶硅的组合物。[解决手段]一种用于形成非晶硅的组合物，包含：(a)嵌段共聚物，其具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B，嵌段A的至少一个硅和嵌段B的至少一个硅通过单键和/或含硅的交联基团连接，以及(b)溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 共聚物 用于 形成 非晶硅 组合 以及 使用 非晶硅膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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