[发明专利]钙钛矿发光二极管在审
| 申请号： | 201980079130.X | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113169275A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 禹汉永;张起晳;宋明勋;文晶玟;崔秀石;T·L·阮;李承珍;张充铉 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司;高丽大学校产学协力团;蔚山科学技术院 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王冬慧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及钙钛矿发光二极管。根据本发明，通过用具有基于铵的抗衡离子的阴离子共轭聚合物代替常规空穴传输层中包含的PEDOT:PSS，可以防止由PEDOT:PSS引起的发光装置特性的降低，并且通过用含有共轭聚合物的空穴传输层来钝化钙钛矿发光层的缺陷，和提高晶体生长，可大大改善发光特性。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司;高丽大学校产学协力团;蔚山科学技术院，未经乐金显示有限公司;高丽大学校产学协力团;蔚山科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980079130.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多模式量子位读出和量子位状态分配
- 下一篇：利用修整调节的精确带隙参考
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
